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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企81的算术平方根是多少，81的算术平方根计算过程业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客(kè)户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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