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　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未(wèi)通过(guò)网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠冷藏柜1-7档哪个最合适，冷藏柜1-7档哪个最合适呢侠、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商冷藏柜1-7档哪个最合适，冷藏柜1-7档哪个最合适呢为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业(yè)链上冷藏柜1-7档哪个最合适，冷藏柜1-7档哪个最合适呢(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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