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　　大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平(píng)对外开(不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng不负年华的意思是什么呢，不负春光不负年华的意思)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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