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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

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　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lá尽管的关联词后面是什么，尽管的关联词表示什么关系i)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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