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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng崤什么时候读yao佳肴，崤什么时候读)司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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