大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过(guò)网络安全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转(zh中国最早的朝代，中国最早的皇帝是谁uǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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